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PhotriX 小光斑測溫儀 太陽能、晶體生長過程小目標紅外測溫儀?

作者:admina來源:時間:2022-11-12 18:00:37瀏覽量:784人閱讀

  PhotriX 小光斑測溫儀 太陽能、晶體生長過程小目標紅外測溫儀
PhotriX系列的性能體現在其傳統的鏡頭配置。這一配置用于從遠處或通過視窗/視口觀測目標,被廣泛地應用于先進材料、

太陽能、晶體生長過程以及 半導體應用領域。該配置提供五個不同的近紅外光譜響應(880 nm, 900 nm, 1550 nm以及700-1650 nm)。測溫范圍為75 °C-2600 °C。可供選配的配件包含了工業安裝用的帶有空氣吹洗的保護冷卻套

主要特性
低溫測量功能(具體內容請參照以下表格);
65°C溫度條件下光譜響應為700-1650nm
125°C溫度條件下光譜響應為1550nm
270°C溫度條件下光譜響應為900nm
280°C溫度條件下光譜響應為880nm
490°C溫度條件下光譜響應為650nm
光斑尺寸小,最小為0.5毫米(在99%能源條件下);
響應時間短,僅1毫秒;
精確度+/- 1.5 °C或讀數的0.15%;
精度0.01 °C(詳見技術資料TN-828)。

簡要描述
Photrix系列是我們精確的測溫儀,擁有行業內較好的信噪比,可測量低溫,實現小光斑尺寸以及快速響應時間(1毫秒)。標準鏡頭配置有5種光譜響應(波長),
模擬輸出(用戶可選4-20mA或0-10V)、帶有鏡頭吹掃的保護硬件以及多通道接口模塊(單個數字信號最多可使用8個傳感器)可供選擇。標準系統包括所有必要的電纜、電源、電腦接口軟件以及存檔/校正系統。
典型應用
具有低輻射率的金屬;
鋁;
銅銦鎵硒(CIGS)薄膜太陽能沉積;
非晶硅薄膜沉積;
激光加熱過程;
直拉晶體生長;
光纖拉絲;
感應加熱。

測溫范圍:

30...2400°C

70...2600°C

210...2600°C

220...2600°C

400...2600°C

測量波段:

650 nm – 1650 nm

準確度:

± 1.5° C  讀數的0.15% 

分辨率:

0.01 C

響應時間:

1ms

漂移:

<0.15° C 每年

輸出:

RS-232 (標準), 支持Modbus 協議模擬輸出(選配)

環境溫度:

10 – 60° C

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