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碳化硅SiC?雙色紅外高溫計用于晶體生長多晶硅過程輻射溫度測量的紅外測溫儀

作者:admina來源:時間:2022-03-29 15:59:44瀏覽量:1267人閱讀

  碳化硅SiC雙色紅外高溫計用于晶體生長多晶硅過程輻射溫度測量的紅外測溫儀
CellaCrystal系列紅外測溫儀應用于晶體生長過程中的光學溫度測量。

紅外測溫儀的高分辨率和高穩定性保證晶體生長過程中對溫度的精準控制。

晶體生長過程溫度測量應用示例
單晶硅生長過程溫度監控
多晶硅生長過程溫度監控
碳化硅(SiC)生長過程溫度監控
CellaCrystal 紅外測溫儀特點
高精度的寬測量范圍:750-3000℃
極高的重復性:2K
同時評估雙色和單色通道溫度變化
功耗極低(<175 mA),使用壽命長
可通過控制按鍵調節參數
檢測鏡頭污染功能
可調焦鏡頭 :標準鏡頭;近焦鏡頭;長焦鏡頭
三種瞄準方式:目鏡,攝像頭或激光瞄準
多種信號輸出 :模擬電流;開關信號;RS485 信號
專用軟件可并行控制最多30 臺測溫儀

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